
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я
Ермошин И.Г.
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN u AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур. – Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. – Москва, 2009. – 20 с. (С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Национального исследовательского технологического университета "МИСиС").