А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ы Э Ю Я
Горшков А.П.
Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной мос-гидридной эпитаксией. – Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. – Нижний Новгород, 2006. – 15 с. (С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского).