КАЧАЛОВ Олег Викторович
(1942–2006)
Кандидат физико-математических наук
Родился в 1942 году в деревне Ларионово Владимирской области. Окончив школу в Москве, он поступил в Московский физико-технический институт, а затем в аспирантуру при Институте физических проблем имени П.Л. Капицы АН СССР, где под руководством академика А.С. Боровика-Романова выполнил дипломную работу по магнитным явлениям в области низких температур.
В 1966 году Олег Викторович пришел в Институт кристаллографии АН СССР, где начал исследование мандельштам-бриллюэновского и рамановского рассеяния света в анизотропных кристаллах. Он внес существенный вклад в теорию рассеяния света анизотропными средами и впервые обнаружил в эксперименте теоретически предсказанную тонкую структуру релеевского рассеяния, обязанную антисимметричной составляющей тензора упругих констант. Эта работа стала основной для калибровки интенсивности рассеяния. Им была предложена система характеризации однородности кристаллов, основанная на анализе трехмерных картин распределения интенсивности релеевской компоненты рассеянного света и показано, что динамический диапазон изменения параметра неоднородности превышает четыре порядка. Это позволяет численно характеризовать совершенство кристаллической решетки даже таких веществ, как алмаз.
В последние годы О.В. Качалов исследовал динамику морфологии поверхности кристаллов в процессе их роста. Им были обнаружены статистические волны на поверхности растущего кристалла и движения границ роста в сторону увеличения и уменьшения размера кристалла в процессе роста.
Он оставил после себя созданные им уникальные установки, не имеющие мировых аналогов, используемые как в научных лабораториях, так и на оборонных предприятиях. Для алмазообрабатывающей промышленности Олегом Викторовичем Качаловым был изобретен прибор, автоматизирующий определение образцов ювелирного качества среди необработанных алмазов. Последней его разработкой стал запатентованный им способ и устройство регистрации положения фронта кристаллизации в установках горизонтально направленной кристаллизации, позволяющие выращивать кристаллы высокого оптического качества.