ДИСТЛЕР Григорий Исаакович
(1920–1987)

Доктор химических наук, профессор

Родился 25 декабря 1920 году в г. Томске. В 1942 году успешно окончил химический факультет МГУ им. Ломоносова. Призванный в ряды Советской Армии, Г.И. Дистлер участвовал в боях на Донском фронте, где был тяжело ранен. После лечения в госпитале и демобилизации он в 1943 году поступил в Институт кристаллографии, где и проработал до последних дней своей жизни.

Трудовая деятельность Григория Исааковича началась с блестяще проведенного электронографического исследования структуры полимеров, на основе которого им были созданы оптические и полупроводниковые текстуры, поляризующие ультрафиолетовое и инфракрасное излучения и нашедшие широкое применение в специальном приборостроении. Г.И. Дистлер участвовал в разработке фурье-спектроскопии и инфракрасной дефектоскопии, широко применяемой ныне для изучения дефектной структуры и свойств кристаллов и пленок, лазерных кристаллов, оптических сред, магнитных материалов и др.

Последние 30 лет своей научной творческой деятельности Григорий Исаакович посвятил изучению реальной структуры твердых тел и процессов, протекающих на их поверхностях. Он связал образование и распределение точечных дефектов в твердых телах с образованием зародышей кристаллов и их ростом. Впервые было экспериментально показано, что зародышеобразование происходит избирательно на точечных дефектах и что электрический рельеф поверхности кристаллов может быть существенным для протекания гетерогенных процессов.

Применив широкий арсенал современных методов, в том числе электронную микроскопию, Г.И. Дистлер сделал принципиально новый шаг в исследовании эффектов дальнодействия – передаче структурной информации через аморфные и поликристаллические слои, в частности при эпитаксии. На этой основе он создал совершенно новый метод кристаллизации на монокристаллических затравках, покрытых аморфными и цоликристаллическими слоями, позволяющий получать более совершенные кристаллы. Эти результаты Григория Исааковича широко и активно обсуждались научной общественностью и иногда назывались "дистлер-эффектами".

В последние годы Григорий Исаакович успешно разрабатывал новое направление, связанное с выращиванием кристаллов под влиянием различных нетепловых внешних воздействий.

С 1967 года он был заместителем председателя Научного совета АН СССР по электронной микроскопии, организатором многих всесоюзных конференций, симпозиумов, школ, семинаров.

Трудами Г.И. Дистлера и его учеников методы декорирования, в том числе с широким использованием электронной микроскопии, из источников чисто морфологической информации превратились в средство познания физико-химических процессов. В результате использования этих методов стала возможной визуализация важных явлений, связанных с зарождением кристаллов, и создание на этой основе новой концепции роста кристаллов и тонких пленок на локальных активных центрах. Разработанные Г.И. Дистлером методы выявления электрически активной реальной структуры твердых тел, обобщенные в монографии "Декорирование поверхности твердых тел", позволили глубже вникнуть в механизмы многих структурно-чувствительных процессов.