ПРОГРАММА КОНФЕРЕНЦИИ
6 ДЕКАБРЯ, ПОНЕДЕЛЬНИК
10:00-12:00		РЕГИСТРАЦИЯ УЧАСТНИКОВ КОНФЕРЕНЦИИ
		УТРЕННЯЯ СЕССИЯ
12:00-12:30		ОТКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ
12:30-13:50		пленарное заседание
12:30-13:10		Ковальчук М.В. Конвергенция наук и технологий – основа нового технологического уклада.
13:10-13:50		Осико В.В. Лазерные кристаллы (к 50-летию создания лазера).
13:50-15:30		обеденный перерыв
		ВЕЧЕРНЯЯ СЕССИЯ
15:30-17:50		пленарное заседание
15:30-16:00		Пархоменко Ю.Н. Актуальные проблемы материаловедения в нанотехнологиях.
16:00-16:30		Кведер В.В. Работы в области исследования и роста кристаллов в ИФТТ РАН.
16:30-16:50		перерыв
16:50-17:20		Забродский А.Г., Иванов С.В. Эпитаксиальные технологии выращивания полупроводниковых наноструктур в ФТИ РАН.
17:20-17:50		Родионов И.Д. Кристаллы для монофотонных и гиперспектральных технологий.
18:30		КОНЦЕРТ, ФУРШЕТ
7 ДЕКАБРЯ, ВТОРНИК
		Чтения, посвящённые памяти академика Б.К. Вайнштейна
		УТРЕННЯЯ СЕССИЯ
11:00-12:10		пленарное заседание
11:00-11:35		Попов В.О. Белковая фабрика: ген - белок - кристалл - структура.
11:35-12:10		Новикова Н.Н. Нанодиагностика биоорганических плёнок с применением структурно-чувствительной рентгеновской спектроскопии.
12:10-12:30		перерыв
12:30-14:00		заседания секций
	Секция A
		3.3. Формирование, структура и свойства наночастиц
12:30	A1	Мелихов И.В., Симонов Е.Ф., Козловская Э.Д. Закономерности молекулярного и агломерационного роста нанокристаллов неорганических веществ. (30 мин.)
13:00	A2	Хомутов Г.Б. Наночастицы в наноплёночных системах: образование, строение, свойства и применения. (20 мин.)
13:20	A3	Сиренко А.Н., Белащенко Д.К., Тытик Д.Л. Молекулярно-динамическое исследование конфигураций металлических кластеров малых размеров. (20 мин.)
13:40	A4	Вальковский М.В., Пирозерский А.Л., Чарная Е.В. Модель Изинга структурного фазового перехода в системе малых частиц. (20 мин.)
	Секция B
		2.3. Пьезо- и сегнетоэлектрические кристаллы
12:30	B1	Антипов В.В., Быков А.С., Малинкович М.Д., Камалов О. Создание бидоменной структуры в тонких пластинах монокристаллов ниобата лития. (15 мин.)
12:45	B2	Коханчик Л.С. Формирование периодически поляризованных доменных структур в кристаллах ниобата и танталата лития. (15 мин.)
13:00	B3	Наумов П.Г., Любутин И.С., Фролов К.В., Милль Б.В. Низкотемпературные свойства кристаллов семейства лангаситов с магнитными катионами железа. (15 мин.)
13:15	B4	Веремейчик Т.Ф., Симонов В.И. Уникальность кристаллохимии кристаллов структуры кальциевого галлогерманата и некоторые её проявления. (15 мин.)
13:30	B5	Дудник Е.Ф., Акимов С.В. Кристаллохимические особенности акустооптических кристаллов – ферроиков. (15 мин.)
13:45	B6	Галиярова Н.М. О поляронной проводимости титаната бария. (15 мин.)
	Секция C
		2.1. Монокристаллы полупроводников
12:30	C1	Якимов Е.Б. Исследование свойств дислокаций в GaN и структурах на его основе методом наведённого тока. (15 мин.)
12:45	C2	Вигдорович Е.Н. Кристаллофизические свойства многокомпонентных твёрдых растворов в системах In-Ga-As-N и In-Ga-P-N. (15 мин.)
13:00	C3	Дашевский М.Я., Минькова О.В., Сорокин С.Л., Воронова М.И., Меженный М.В., Павлов В.Ф., Шестакова Н.П., Ежлов В.С., Кугаенко О.М., Хасиков В.В., Голубева Л.А., Тищенко И.И., Сорокин Г.С. Структурные особенности и свойства бездислокационных монокристаллов кремния, содержащих внутренние напряжения. (15 мин.)
13:15	C4	Магомедов М.Н. О поверхностных свойствах нанокремния. (15 мин.)
13:30	C5	Голышев В.Д., Быкова С.В., Marchenko M.P. Экспериментально-численное исследование связи дислокаций с тепловыми условиями ОТФ выращивания Ge. (15 мин.)
13:45	C6	Макаров Ю.Н., Чемекова Т.Ю., Авдеев О.В., Нагалюк С.С., Мохов Е.Н. Подложки нитрида алюминия для светодиодных структур. (20 мин.)
	Секция D
		1.2. Моделирование процессов роста кристаллов
12:30	D1	Юферев В.С., Мамедов В.М., Васильев М.Г. Комплексный подход к моделированию процесса выращивания оксидных кристаллов из расплава методом Чохральского. (15 мин.)
12:45	D2	Федюшкин А.И. Гидродинамика и теплоперенос при вибрационных воздействиях на расплав при выращивании монокристаллов методами Бриджмена, Чохральского и плавающей зоны. (15 мин.)
13:00	D3	Гоник М.А., Гоник М.М., Циуляну Д. Управление формой фронта кристаллизации по модели. (15 мин.)
13:15	D4	Берлинер Л.Б., Гвелесиани Л.А. Моделирование процесса выращивания монокристаллов CdZnTe. (15 мин.)
13:30	D5	Верезуб Н.А., Просолович В.С., Простомолотов А.И. Моделирование дефектообразования в бездислокационных пластинах кремния при быстрой термообработке. (15 мин.)
13:45	D6	Таланин В.И., Таланин И.Е., Устименко Н.Ф. Моделирование процессов роста и коалесценции преципитатов кислорода и углерода во время охлаждения кристалла кремния после выращивания. (15 мин.)
	Секция E
		3.1. Биоорганические кристаллы и плёнки
12:30	E1	Куранова И.П. Кристаллизация белков методом встречной диффузии в наземных условиях и в условиях невесомости. (20 мин.)
12:50	E2	Стрелов В.И., Сафронов В.В., Мочалов В.В. Развитие метода температурного управления кристаллизацией биомакромолекул. (20 мин.)
13:10	E3	Казак А.В., Усольцева Н.В., Быкова В.В., Юдин С.Г., Семейкин А.С. Влияние молекулярной структуры мезо-замещенных производных порфирина на оптические свойства и надмолекулярную организацию. (20 мин.)
13:30	E4	Клечковская В.В., Бульенков Н.А., Желиговская Е.А. Структурное моделирование системных материалов на основе целлюлозы и связанной воды. (15 мин.)
14:00-15:30		обеденный перерыв
		ВЕЧЕРНЯЯ СЕССИЯ
15:30-17:00		заседания секций
	Секция A
		3.3. Формирование, структура и свойства наночастиц
15:30	A5	Роддатис В.В., Васильев А.Л. Микроструктура функциональных нанокристаллов. (15 мин.)
15:45	A6	Рогов А.В., Любимов А.Н., Фанченко С.С. Метод конденсации наночастиц в нейтральной жидкости при магнетронном напылении. (15 мин.)
16:00	A7	Семёнов А.В., Лопин А.В., Козловский А.А., Пузиков В.М. Оптическое поглощение и электропроводность в пленках нанокристаллического карбида кремния. (15 мин.)
16:15	A8	Кузнецов С.В., Рябова А.В., Лось Д.С., Маякова М.Н., Фёдоров П.П., Лощенов В.Б., Волков В.В., Воронов В.В., Ермаков Р.П., Осико В.В. Синтез наночастиц фторидов и исследование апконверсионного механизма люминесценции. (15 мин.)
16:30	A9	Любутин И.С., Lin C.-R., Коржецкий Ю.В., Дмитриева Т.В., Дубинская Ю.Л. Синтез нанодисков сульфидов железа Fe1-xS и исследование влияния катионных вакансий на их магнитные свойства. (15 мин.)
16:45	A10	Дьякова Ю.А., Суворова Е.И., Орехов А.С., Орехов А.С., Алексеев A.С., Клечковская В.В., Терещенко Е.Ю., Ткаченко Н.В., Лемметюйнен Х., Фейгин Л.А., Ковальчук М.В. Структура ленгмюровских монослоев порфирин-фуллереновой диады на твердой подложке. (15 мин.)
	Секция B
		2.3. Пьезо- и сегнетоэлектрические кристаллы
15:30	B7	Балицкий В.С., Балицкий Д.В., Балицкая Л.В. Высокогерманиевый кварц: выращивание, особености морфологии, свойства, перспективы промышленного освоения. (15 мин.)
15:45	B8	Акимов С.В. Дефекты в кристаллах парателлурита, выращенных методом Чохральского. (15 мин.)
16:00	B9	Каменщиков М.В., Солнышкин А.В., Богомолов А.А., Пронин И.П. Проводимость и вольт-амперные характериситики тонкоплёночных гетероструктур на основе ЦТС. (15 мин.)
16:15	B10	Шмелев Г.К., Богомолов А.А., Солнышкин А.В. Дисперсия диэлектрических характеристик композитов на основе керамики ЦТС и никель (магранец)-цинковых ферритов. (15 мин.)
16:30	B11	Солнышкин А.В., Богомолов А.А., Трошкин А.С., Раевский И.П., Санджиев Д.Н., Шонов В.Ю. Фотовольтаический и фотоэлектрический отклики пленочных структур на основе сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2P2S6. (15 мин.)
16:45	B12	Мамедов В.М., Юферев В.С., Ломонов В.А., Писаревский Ю.В., Виноградов А.В. Численное моделирование процесса выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского. (15 мин.)
	Секция C
		2.1. Монокристаллы полупроводников
15:30	C7	Фреик Д.М., Межиловская Л.Н., Туровская Л.В., Юрчишин Л.Д., Шевчук М.О. Кристаллохимия дефектной подсистемы кристаллов PbTe, SnTe, GeTe и их свойства. (15 мин.)
15:45	C8	Аждаров Г.Х., Агамалиев З.А., Захрабекова З.Н., Кязимова В.К. Условия роста однородных кристаллов твёрдых растворов Ge-Si методом двойной подпитки расплава. (15 мин.)
16:00	C9	Долгополова Э.А., Беленко С.В., Шаров М.К., Самойлов А.М., Сыноров Ю.В. Отклонение от стехиометрии и механизмы дефектообразования в пленках теллурида свинца, легированного галлием. (15 мин.)
16:15	C10	Кожемякин Г.Н., Ерофеев Р.С., Олейникова А.Н., Иванов О.Н., Колесников Д.А., Марадудина О.Н. Термоэлектрические свойсва нанокристаллических твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы. (15 мин.)
16:30	C11	Гаджиев Э.Ш. Исследование образования твёрдых растворов на основе сверхрешёток Yb1-xSmxAs2Те4. (15 мин.)
16:45	C12	Самойлов А.М., Беленко С.В., Долгополова Э.А., Агапов Б.Л., Ховив А.М. Реальная микроструктура пленок PbTe, синтезированных модифицированным методом «горячей стенки» на подложках Si (100), Si (111) и BaF2 (100). (15 мин.)
	Секция D
		1.2. Моделирование процессов роста кристаллов
15:30	D7	Канищев В.Н., Баранник С.В. Кристаллизация бинарного расплава с периодически меняющейся скоростью. (15 мин.)
15:45	D8	Бредихин В.И. Проблема устойчивости роста кристаллов из растворов в свете образования сгустков элементарных ступеней. (15 мин.)
16:00	D9	Малеев А.В., Рау В.Г., Шутов А.В. Верхняя граница формы послойного роста двумерного квазипериодического разбиения Рози. (15 мин.)
16:15	D10	Изатулина А.Р., Пунин Ю.О., Штукенберг А.Г., Голованова О.А. Особенности образования оксалатов кальция в организме человека. (15 мин.)
16:30	D11	Магомедов М.Н. О размерном пределе для фазового перехода кристалл-жидкость. (15 мин.)
16:45	D12	Луцык В.И., Зеленая А.Э., Зырянов А.М. Поиск низкотемпературных растворителей непланарными конодами. (15 мин.)
	Секция E
		3.5. Жидкие кристаллы
15:30	E5	Долганов П.В., Клузо Ф. Новые методы образования упорядоченных структур: самоорганизация частиц в смектических жидких кристаллах. (25 мин.)
15:55	E6	Казначеев А.В., Пожидаев Е.П., Плаксин С.О. Диэлектрическая восприимчивость негеликоидального жидкокристаллического сегнетоэлектрика в слабых электрических полях. (20 мин.)
16:15	E7	Будаговский И.А., Золотько А.С., Смаев М.П., Швецов С.А., Бойко Н.И., Барник М.И. Ориентационное воздействие световых пучков на нематические жидкие кристаллы, содержащие примеси содендримеров. (20 мин.)
16:35	E8	Палто С.П., Барник М.И., Блинов Л.М., Уманский Б.А., Штыков Н.М. Микролазеры на жидких кристаллах. (25 мин.)
17:00-17:10		перерыв
17:10-19:00		СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
		3.1. Биоорганические кристаллы и плёнки
		3.5. Жидкие кристаллы
		1.2. Моделирование процессов роста кристаллов
		2.1. Монокристаллы полупроводников
		3.3. Формирование, структура и свойства наночастиц
		(подробную информацию о стендовых докладах можно получить на вкладке «стендовые доклады»)
8 ДЕКАБРЯ, СРЕДА
		УТРЕННЯЯ СЕССИЯ
11:00-12:10		пленарное заседание
11:00-11:35		Фёдоров П.П. Кооперативный механизм образования кристаллов путём агрегации и сращивания наночастиц.
11:35-12:10		Бушуев В.А. Возможности рентгеновской дифрактометрии для исследования пространственной самоорганизации скрытых квантовых наноточек в кристаллах.
12:10-12:30		перерыв
12:30-14:00		заседания секций
	Секция A
		3.3. Формирование, структура и свойства наночастиц
12:30	A11	Дулина Н.А., Дейнека Т.Г., Дорошенко А.Г., Вовк О.М., Зсергиенко П., Толмачев А.В., Явецкий Р.П. Исследование процессов формирования и характеризация нанокристаллических порошков Lu2O3:Eu^3+ в технологии оптической керамики. (15 мин.)
12:45	A12	Емельченко Г.А., Масалов В.М., Жохов А.А., Максимук М.Ю., Фурсова Т.Н., Баженов А.В., Зверькова И.И., Хасанов С.С., Штейнман Э.А., Терещенко А.Н. Трёхмерные наноструктуры в матрице диоксида кремния. (15 мин.)
13:00	A13	Масалов В.М., Грузинцев А.Н., Ермолаева Ю.В., Зверькова И.И., Толмачев А.В., Benalloul P., Barthou C., Емельченко Г.А. Синтез и фотолюминесцентные свойства монодисперсных гетерочастиц типа «ядро-оболочка» SiO2/Lu2O3-Eu^+3. (15 мин.)
13:15	A14	Валеев Р.Г., Романов Э.А., Ветошкин В.М., Бельтюков А.Н., Чукавин А.И., Хохряков С.В., Елисеев А.А., Кривенцов В.В. Исследование механизмов формирования полупроводниковых наноструктур в пористых матрицах Al2O3. (15 мин.)
13:30	A15	Кузьмичёва Г.М., Савинкина Е.В., Оболенская Л.Н., Натыкан Н.Н., Кутылев С.А., Демина П.А., Чернышев В.В., Яковенко А.Г., Белогорохов А.И., Пархоменко Ю.Н. Получение, состав, строение и свойства наноразмерного материала на основе анатаза и новой модификации n-TiO2. (15 мин.)
13:45	A16	Неверов И.В., Шипко М.Н., Костишин В.Г., Морченко А.Т. Структурные состояния поверхностных слоёв ультрадисперсных частиц Fe3O4. (15 мин.)
	Секция B
		4. Инновационные разработки в области создания и применения кристаллических материалов
12:30	B13	Фёдоров П.П. Фторидная лазерная нанокерамика. (20 мин.)
12:50	B14	Пузиков В.М., Данько А.Я., Гринь Л.А., Будников А.Т. Особенности выращивания крупных кристаллов сапфира методом ГНК. (20 мин.)
13:10	B15	Бабин А.А., Беспалов В.И., Бредихин В.И., Галушкина Г.Л., Ершов В.П., Логинов В.М., Хлюнев Н.В., Зильберберг В.В. Широкоапертурные параметрические преобразователи и усилители для мощных лазерных комплексов на основе монокристаллов KDP/DKDP. (15 мин.)
13:25	B16	Лисицкий И.С., Кузнецов М.С., Голованов В.Ф., Полякова Г.В. Кристаллы галогенидов таллия. Свойства и возможность применения. (20 мин.)
13:45	B17	Медведев А.В., Бузанов О.А., Сахаров С.А., Забелин А.Н., Аленков В.В. Легированные монокристаллы галлотанталата лантана для акукстоэлектронных изделий. (15 мин.)
	Секция C
		1.1. Элементарные процессы роста и физика образования кристаллов
12:30	C13	Гуськов А.П. Влияние межфазной адсорбции на устойчивость межфазной границы. (15 мин.)
12:45	C14	Гликин А.Э., Крючкова Л.Ю., Франке В.Д. Изоморфные фазовые отношения и обменные реакции смешанных кристаллов с растворами. (15 мин.)
13:00	C15	Петрова Е.В., Воронцова М.А., Маноменова В.Л. Рост кристаллов шестиводного сульфата никеля в метастабильной области пересыщений. (10 мин.)
13:10	C16	Гершанов В.Ю., Гармашов С.И., Матюшина Л.И. Проблема кинетического эксперимента в раствор-расплавных системах. (15 мин.)
13:25	C17	Назин В.Г., Михеева М.Н., Лев Л.Л., Рогалев В.А. Исследования начальной стадии процесса окисления титана. (10 мин.)
13:35	C18	Титоров Д.Б. Самоорганизация атомов в графен, алмаз и фуллерены. (10 мин.)
13:45	C19	Самотоин Н.Д. Правая и левая формы каолинита от 7Å-слоя структуры до микрокристаллов и их сростков. (15 мин.)
	Секция D
		2.4. Кристаллы-сцинцилляторы и люминофоры
12:30	D13	Ворончихина М.Е., Горащенко Н.Г., Цветков В.Б. Кристаллизация стёкол состава (2-x)Bi2O3-3GeO2-xNd2O3. (20 мин.)
12:50	D14	Тимошенко Н.Н. Исследования объёмных дефектов в сцинтилляционных кристаллах CsI(Na). (20 мин.)
13:10	D15	Васильева Н.В., Рандошкин И.В., Плотниченко В.Г., Спасский Д.А., Колобанов В.Н., Рандошкин В.В. Рост и люминесценция эпитаксиальных плёнок Gd3Ga5O12:Ce, выращенных из разных растворов-расплавов. (20 мин.)
13:30	D16	Шпилинская А.Л., Кудин А.М., Зосим Д.И., Педаш В.Ю. Выращивание сильно легированных кристаллов CsI:Tl и их сцинтилляционные свойства. (20 мин.)
13:50	D17	Фёдоров О.П., Демченко В.Ф. Эффекты нестационарности при направленном затвердевании прозрачных монокристаллов. (15 мин.)
	Секция E
		1.4. Исследования физических свойств кристаллов для разработки функциональных элементов
12:30	E9	Криницын П.Г., Елисеев А.П., Исаенко Л.И. Оптические свойства нелинейных кристаллов AgGaSe2. (20 мин.)
12:50	E10	Колесников А.И., Каплунов И.А., Ильяшенко С.Е., Молчанов В.Я., Гречишкин Р.М., Архипова М.А., Третьяков С.А. Оптические параметры кристаллов парателлурита. (15 мин.)
13:05	E11	Наими Е.К., Рабинович О.И. Влияние ультразвукового воздействия на многокомпонентные гетероструктуры для излучающих диодов. (20 мин.)
13:25	E12	Кабанова Л.А., Колегов А.А., Шандаров С.М., Каргин Ю.Ф. Влияние температуры на формирование отражательных фоторефрактивных голограмм в кристаллах силленитов. (15 мин.)
13:40	E13	Крапошин В.С., Бажанов Д.А., Бочаров П.В., Талис А.Л. Аномалии физических свойств квазикристаллов как следствие их иерархического кластерного строения. (15 мин.)
14:00-15:30		обеденный перерыв
		ВЕЧЕРНЯЯ СЕССИЯ
15:30-16:00		пленарное заседание
15:30-16:00		Жариков Е.В. Рост кристаллов в Европе: состояние и перспективы.
16:00-17:30		заседания секций
16:00-18:00	Круглый стол
		Реализация новых механизмов сотрудничества России и Евросоюза в области нанотехнологий: уроки и перспективы
	Секция B
		4. Инновационные разработки в области создания и применения кристаллических материалов
16:00	B18	Горн Д.И., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Фотолюминесценция в одиночной КЯ на основе CdxHg1-xTe. (20 мин.)
16:20	B19	Корольченко А.С., Мурашев В.Н., Леготин С.А., Орлова М.Н. Кремниевые высоковольтные многопереходные солнечные батареи – новые технологии. (15 мин.)
16:35	B20	Попович А.Ф., Ашкинази Е.Е., Ральченко В.Г., Рогалин В.Е., Успенский С.А. Теплофизические эффекты в водоохлаждаемом алмазном диске, облучаемом мощным лазером. (15 мин.)
16:50	B21	Корноухов В.Н., Полозов П.А., Ханбеков Н.Д., Аленков В.В., Бузанов О.А. Изотопнообогащенные кристаллы молибдата кальция для экспериментов по поиску безнейтринного двойного бета-распада. (15 мин.)
	Секция C
		1.1. Элементарные процессы роста и физика образования кристаллов
16:00	C20	Воронько Ю.К., Соболь А.А., Шукшин В.Е. Особенности строения оксоортосиликатов редкоземельных металлов в кристаллическом, расплавленном и стеклообразном состояниях: исследования методом КРС. (10 мин.)
16:10	C21	Орлов Л.К., Вдовин В.И., Смыслова Т.Н., Бондаренко А.С. Особенности и механизмы карбидизации поверхности кремния при выращивании плёнок кубического карбида кремния методом вакуумной химической эпитаксии. (15 мин.)
16:25	C22	Михайлов В.И., Буташин А.В., Муслимов А.Э., Ракова Е.В., Поляк Л.Е., Каневский В.М., Дерябин А.Н., Тихонов Е.О., Кварталов В.Б., Шананин В.А. Особенности роста тонких пленок CdTe на подложках (0001) Al2O3. (15 мин.)
16:40	C23	Мешалкин А.Б., Каплун А.Б., Кидяров Б.И. Диаграммы состояния оксидных систем, изученные вибрационным методом фазового анализа. (15 мин.)
16:55	C24	Костомаров Д.В. Реакции «фазового обмена» и их влияние на процессы, сопутствующие кристаллизации лейкосапфира из расплава. (10 мин.)
17:05	C25	Воронцов В.Б., Журавлев Д.В. Связь структуры сигналов акустической эмиссии при кристаллизации Al с механизмом формирования твёрдой фазы из расплава. (10 мин.)
17:15	C26	Луцык В.И., Зеленая А.Э., Савинов В.В. Траектории фаз в расплавах СаО-Al2O3-SiО2. (10 мин.)
	Секция D
		2.4. Кристаллы-сцинцилляторы и люминофоры
16:00	D18	Горобец Ю.Н., Космына М.Б., Лучечко А.П., Назаренко Б.П., Пузиков В.М., Шеховцов А.Н., Сугак Д.Ю. Влияние способа активации на образование зарядокомпенсирующих дефектов в кристаллах PbMoO4:Nd^3+. (20 мин.)
16:20	D19	Крутяк Н.Р., Спасский Д.А., Михайлин В.В., Нагорная Л.Л., Тупицина Л.А. Исследование люминесценции в кристаллах ZnWO4, легированных ионами лития и фтора. (20 мин.)
16:40	D20	Якубовская А.Г., Катрунов К.А., Нагорная Л.Л., Тупицына И.А., Старжинский Н.Г., Зеня И.М., Жуков А.В., Баумер В.Н., Вовк О.М. Сцинтилляционный нанокристаллический вольфрамат цинка. (20 мин.)
17:00	D21	Кудин А.М., Трефилова Л.Н., Старжинский Н.Г., Овчаренко Н.В., Шпилинская А.Л. Причины и возможные пути снижения миллисекундного послесвечения в сцинтилляционных кристаллах CsI(Tl). (20 мин.)
17:20	D22	Колесников А.В., Кудин А.М., Шпилинская А.Л., Митичкин А.И., Заславский Б.Г. Выращивание и свойства сложнолегированных кристаллов на основе йодида цезия. (10 мин.)
	Секция E
		2.5. Материалы спинтроники и суперионные проводники
16:00	E14	Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Панков М.А., Лагутин А.С., Лихачёв И.А., Пашаев Э.М. Феромагнетизм и электронный транспорт в 2D структурах GaAs/InGaAs/GaAs с дельта-слоем Mn. (20 мин.)
16:20	E15	Воронкова В.И., Харитонова Е.П. Поиск новых кислородных проводников со структурой молибдата лантана La2Mo2O9. (15 мин.)
16:40	E16	Коморников В.А., Сандлер В.А., Якушкин Е.Д. Фазовая диаграмма и суперпротонная проводимость в системе CsHSO4-CsH2PO4. (20 мин.)
17:00	E17	Лебедев А.А., Агринская Н.В., Лебедев С.П., Мынбаева М.Г., Петров В.Н., Смирнов А.Н., Стрельчук А.М., Титков А.Н., Шамшур Д.В. Исследование свойства плёнок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC. (20 мин.)
17:30-17:40		перерыв
17:40-19:30		СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
		2.3. Пьезо- и сегнетоэлектрические кристаллы
		2.4. Кристаллы-сцинцилляторы и люминофоры
		1.4. Исследования физических свойств кристаллов для разработки функциональных элементов
		1.1. Элементарные процессы роста и физика образования кристаллов
		4. Инновационные разработки в области создания и применения кристаллических материалов
		(подробную информацию о стендовых докладах можно получить на вкладке «стендовые доклады»)
9 ДЕКАБРЯ, ЧЕТВЕРГ
		УТРЕННЯЯ СЕССИЯ
11:00-12:10		пленарное заседание
11:00-11:35		Лозовик Ю.Е. Графен: открытие, достижения и перспективы.
11:35-12:10		Бабин А.А. О работах по выращиванию кристаллических материалов в ИПФ РАН.
12:10-12:30		перерыв
12:30-14:00		заседания секций
	Секция A
		2.2. Кристаллы фотоники
12:30	A17	Личкова Н.В., Загороднев В.Н., Охримчук А.Г., Бутвина В.Н. Выращивание кристаллов Rb1-xCsxPb2Hal5 , легированных ионами РЗЭ, для твердотельных лазеров среднего ИК диапазона. (30 мин.)
13:00	A18	Акчурин М.Ш., Гайнутдинов Р.В., Закалюкин Р.В., Каминский А.А., Купенко И.И. Лазерные керамики на основе кубических оксидов. (30 мин.)
13:30	A19	Загоруйко Ю.А., Герасименко А.С., Коваленко Н.О., Комарь В.К., Пузиков В.М., Sorokin E., Sorokina I.T. Новый активный материал для перестраиваемых лазеров среднего ИК диапазона – монокристаллы Zn1-xMgxSe:Fe^2+:Cr^2+. Получение, оптические характеристики. (15 мин.)
13:45	A20	Рябочкина П.А., Малов А.В., Большакова Е.В., Чупрунов Е.В., Сомов Н.В., Ушаков С.Н. Структурные и спектрально-люминесцентные свойства кристаллов кальций-ниобий-галлиевого граната, активированных ионами Er. (15 мин.)
	Секция B
		3.2. Многослойные, острийные и квантовые структуры
12:30	B22	Кузюкова Л.Н., Югова Т.Г., Меженный М.В., Малахов С.С., Козлова Ю.П., Донсков А.А., Говорков А.В., Павлов В.Ф., Поляков А.Я. Свойства эпитаксиальных слоев GaN, полученных с использованием различных буферных слоев. (15 мин.)
12:45	B23	Донсков А.А., Дьяконов Л.И., Духновский М.П., Говорков А.В., Козлова Ю.П., Малахов С.С., Марков А.В., Меженный М.В., Павлов В.Ф., Поляков А.Я., Ратушный В.И., Смирнов Н.Б., Югова Т.Г. Морфология поверхности слоёв GaN, выращенных на подложках сапфира a-, m-, c-, r-ориентации. (15 мин.)
13:00	B24	Кравчук К.С., Меженный М.В., Югова Т.Г., Кулеманов И.В. Исследование плотности дислокаций в слоях GAN, полученных хлоридно-гидридной эпитаксией с использованием буферных слоёв. (15 мин.)
13:15	B25	Хазанова С.В. Моделирование роста двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs с учётом сегрегации состава. (15 мин.)
13:30	B26	Фреик Д.М., Межиловская Л.Н., Бачук В.В., Чавьяк И.И. Получение, механизмы роста и топология наноструктур соединений IV-VI, полученных из паровой фазы. (15 мин.)
13:45	B27	Кудренко Е.А., Роддатис В.В., Жохов А.А., Зверькова И.И., Ходос И.И., Емельченко Г.А. Наностержни карбида кремния: синтез и структура. (15 мин.)
	Секция C
		1.3. Управление дефектной структурой кристаллов, самоорганизация в кристаллических системах, влияние дефектов структуры на физические свойства
12:30	C27	Таланин В.И., Таланин И.Е., Устименко Н.Ф. Программный комплекс для анализа и расчёта образования ростовых микродефектов. (20 мин.)
12:50	C28	Балицкая О.В., Пентелей С.В., Балицкая Л.В., Балицкий В.С. Механизмы формирования водно-углеводородных включений в синтетическом кварце и изучение в них in-situ фазовых превращений при повышенных и высоких температурах и давлениях. (20 мин.)
13:10	C29	Скворцова Н.П. Экспериментальное исследование самоорганизованного критического поведения монокристаллов в условиях высокотемпературной пластической деформации. (20 мин.)
13:30	C30	Винс В.Г., Елисеев А.П., Афонин Д.В., Блинков А.Е., Максимов А.Ю. Отжиг алмазов в поле стабильности графита – возможности и перспективы. (20 мин.)
	Секция D
		5.1. Новые методы диагностики кристаллических материалов и систем
12:30	D23	Козлова Н.С., Симинел Н.А. Возможности спектроскопии диффузного отражения для исследования различных типов материалов. (20 мин.)
12:50	D24	Сафронов Р.И., Андреев Е.П., Литвинов Л.А. Определение стехиометрии сапфира по рассеянию рентгеновских лучей. (20 мин.)
13:10	D25	Мовчикова А.А., Малышкина О.В., Калугина О.Н. Новый метод определения коэффициента тепловой диффузии тонких пленок с использованием сегнетоэлектрических кристаллов. (15 мин.)
13:25	D26	Онищенко Г.М., Гальчинецкий Л.П., Гринёв Б.В., Рыжиков В.Д., Кудин А.М. Новый спектрометрический метод диагностики дефектности сцинтилляционных кристаллов. (15 мин.)
13:40	D27	Ткаль В.А., Петров М.Н., Воронин Н.А. Устранение фононовой неоднородности на изображениях дефектов стуктуры монокристаллов с использованием вейвлет-анализа. (15 мин.)
	Секция E
		3.4. Углеродные наночастицы и наноструктуры
12:30	E18	Канаева Е.С., Малинкович М.Д., Шупегин М.Л. Исследование металлосодержащих нанокомпозитных материалов на основе кремний-углеродной матрицы методами сканирующей зондовой микроскопии. (20 мин.)
12:50	E19	Кожитов Л.В., Козлов В.В., Костишин В.Г., Морченко А.Т., Похолок К.В., Филимонов Д.С. Исследование структуры и свойств углеродных нанокристаллических материалов и металлополимерных нанокомпозитов, полученных различными способами. (20 мин.)
13:10	E20	Кожитов Л.В., Козлов В.В., Костишин В.Г., Морченко А.Т., Сыворотка И.М., Сыворотка И.И., Муратов Д.В., Нуриев А.В. Синтез и магнитные свойства нанокомпозитов на основе 3d-металлов в углеродных и полимерных матрицах. (20 мин.)
13:30	E21	Пикалов А.А., Кравченко Л.Ю., Филь Д.В. Сверхтекучесть магнитоэкситонов в системе двух графеновых слоёв. (15 мин.)
13:45	E22	Базин А.Л., Majid M.J., Савинский С.С. Особенности электронного спектра графена. (15 мин.)
14:00-15:30		обеденный перерыв
		ВЕЧЕРНЯЯ СЕССИЯ
15:30-17:00		заседания секций
	Секция A
		2.2. Кристаллы фотоники
15:30	A21	Притула И.М., Косинова А.В., Колыбаева М.И., Пузиков В.М., Гайворонский В.Я., Копыловский М.А. Новый нелинейно-оптический материал на основе монокристалла KDP и наночастиц TiO2. (30 мин.)
16:00	A22	Грибенюков А.И., Гинсар В.Е., Верозубова Г.А., Филиппов М.М. О выращивании крупноразмерных монокристаллов ZnGeP2 методом Бриджмена. (20 мин.)
16:20	A23	Кох А.Е., Кононова Н.Г., Влезко В.А., Кох К.А., Пестряков Е.В., Трунов В.И. Преобразователи лазерного излучения на кристаллах LBO для мощных лазерных систем. (20 мин.)
16:40	A24	Орлова Е.И. Кристаллы семейства титанил фосфата калия с изовалентными замещениями: синтез и свойства. (15 мин.)
	Секция B
		3.2. Многослойные, острийные и квантовые структуры
15:30	B28	Бузынин А.Н., Осико В.В., Бузынин Ю.Н., Ломонова Е.Е., Хрыкин О.И., Звонков Б.Н. Капиллярная эпитаксия соединений III-V на фианите. (15 мин.)
15:45	B29	Настовьяк А.Г., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л. Моделирование роста нитевидных нанокристаллов кремния с гетеропереходами Ge-Si. (15 мин.)
16:00	B30	Акчурин Р.Х., Богинская И.А., Вагапова Н.Т., Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Сурнина М.А. Капельный метод формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии. (15 мин.)
16:15	B31	Мазалов А.В., Падалица А.А., Сабитов Д.Р., Курешов В.А., Мармалюк А.А., Акчурин Р.Х. Исследование процесса роста AlN при помощи «in situ» методов контроля в условиях МОС-гидридной эпитаксии. (15 мин.)
16:30	B32	Яроцкая И.В., Андреев А.Ю., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Телегин К.Ю. Управление механическими напряжениями в многослойных гетероструктурах AlGaAs/GaAs. (15 мин.)
16:45	B33	Волков Н.А., Рябоштан Ю.Л., Горлачук П.В., Андреев А.Ю., Телегин К.Ю., Мармалюк А.А. Получение гетероструктур в системе материалов InGaAsP/GaInP, излучающих в диапазоне 780-850 нм. (15 мин.)
	Секция C
		1.3. Управление дефектной структурой кристаллов, самоорганизация в кристаллических системах, влияние дефектов структуры на физические свойства
15:30	C31	Толстихина А.Л., Белугина Н.В., Гайнутдинов Р.В., Ломакова Е.М., Долбинина В.В., Сорокина Н.И., Алексеева О.А. АСМ-исследование нанорельефа поверхности скола кристаллов TGS, LATGS+ADP, DTGS и TGS+Cr. (20 мин.)
15:50	C32	Костишин В.Г., Морченко А.Т., Юданов Н.А. Изгибные колебания доменных стенок в эпитаксиальных монокристаллических пленках ферритов-гранатов. (20 мин.)
16:10	C33	Панфилов П.Е., Горностырев Ю.Н., Титов А.Н., Антонова О.В., Кузнецов А.Р., Селезнева Н.В., Пилюгин В.П. Дислокационная пластичность в ковалентных кристаллах TiX2 (X = S, Se, Te). (20 мин.)
16:30	C34	Колупаева С.Н., Ковалевская Т.А., Данейко О.И., Кулаева Н.А., Семенов М.Е. Влияние температуры и скорости деформации на эволюцию дислокационной структуры дисперсно-упрочненного материала с ГЦК матрицей. (15 мин.)
16:45	C35	Христьян В.А., Загоруйко Ю.А., Коваленко Н.О., Федоренко О.А., Матейченко П.В., Добротворская М.В. Методы пассивации кристаллических соединений A^IIB^VI: разработка, сравнительный анализ, применение. (15 мин.)
	Секция D
		5.1. Новые методы диагностики кристаллических материалов и систем
15:30	D28	Ткаль В.А., Петров М.Н., Воронин Н.А. Применение вейвлет-анализа для устранения зернистости топографического контраста и регистрации низкочастотных особенностей изображений дефектов структуры монокристаллов. (20 мин.)
15:50	D29	Александрова С.С., Медведева Е.В. Компьютерное моделирование и интерпретация полевых ионных изображений дефектов кристаллической структуры. (20 мин.)
16:10	D30	Блецкан Д.И., Лукьянчук А.Р., Феделеш В.И. Измерение внутренних напряжений в кристаллах сапфира. (15 мин.)
16:25	D31	Головин Ю.И., Коренков В.В., Разливалова С.С. Динамическое непрерывное измерение жёсткости – новый метод исследования начальной пластичности кристаллических материалов. (15 мин.)
16:40	D32	Курочка А.С., Сергиенко А.А., Харламов Н.А., Кузнецов Г.Д. Ионно-электронная эмиссия в процессе ионно-лучевого травления поверхности материалов. (15 мин.)
	Секция E
		3.4. Углеродные наночастицы и наноструктуры
15:30	E23	Киселёв Н.А., Кумсков А.С., Закалюкин Р.М., Васильев А.Л., Елисеев А.А., Крестинин А.В., Фрейтаг Б. Структура нанокомпозитов 1d катионный кристалл@ОСНТ. (25 мин.)
15:55	E24	Закалюкин Р.М., Демьянец Л.Н., Иванов-Шиц А.К., Мурин И.В., Готлиб И.Ю., Петров А.В. Моделирование одномерных структур бинарных соединений MeX с крупными анионами, формирующихся в каналах однослойных углеродных нанотрубок. (25 мин.)
16:20	E25	Елисеев А.А., Яшина Л.В., Харламова М.В., Вербицкий Н.И., Лукашин А.В., Третьяков Ю.Д., Белогорохов А.И., Киселев Н.А., Васильев А.Л., Бржезинская М.М., Виноградов А.С., Зубавичус Я.В., Клейменов Е.В., Nachtegaal M. Нанокомпозиты 1d кристалл@ОСНТ: синтез, структура и свойства. (20 мин.)
16:40	E26	Лисецкий Л.Н., Лебовка Н.И., Соскин М.С., Миненко С.С., Федоряко А.П., Гончарук А.И., Поневчинский В.В. Дисперсии углеродных нанотрубок в нематиках: механизм образования агрегатов. (20 мин.)
17:00-17:10		перерыв
17:10-19:00		СТЕНДОВЫЕ ДОКЛАДЫ
		3.4. Углеродные наночастицы и наноструктуры
		5.1. Новые методы диагностики кристаллических материалов и систем
		3.2. Многослойные, острийные и квантовые структуры
		2.2. Кристаллы фотоники
		2.5. Материалы спинтроники и суперионные проводники
		1.3. Управление дефектной структурой кристаллов, самоорганизация в кристаллических системах, влияние дефектов структуры на физические свойства
		(подробную информацию о стендовых докладах можно получить на вкладке «стендовые доклады»)
9 ДЕКАБРЯ, ЧЕТВЕРГ
		Чтения, посвящённые памяти М.П. Шаскольской
		(Чтения проводятся в НИТУ «МИСиС», Москва, Ленинский проспект, 4)
10:00-13:20		пленарное заседание
10:00-10:30		Вуль А.Я. Детонационные наноалмазы.
10:30-11:00		Наими Е.К. Фотонные кристаллы: физические принципы, свойства, применения.
11:00-11:30		Максимов С.К. Особенности дифракции на наноструктурированных объектах.
11:30-11:50		перерыв
11:50-12:20		Андриевский Р.А. Влияние радиационного облучения на свойства наноматериалов.
12:20-12:50		Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Модифицирование свойств варизонных эпитаксиальных пленок КРТ при ионной имплантации и ионном травлении.
12:50-13:20		Маняхин Ф.И. Физические аспекты деградации светодиодов на основе AlGaN/InGaN/GaN и AlInGaP.
13:20-15:00		обеденный перерыв
		Экскурсия в Центр коллективного пользования НИТУ «МИСиС»
15:00-15:30		Набатов Б.В. Проблемы и решения в оптике анизотропных сред.
15:30-16:00		Рощупкин Д.В. Анализ акустических волновых полей в резонаторных структурах методом рентгеновской топографии.
16:00-16:30		Ткаль В.А. Моделирование основных зашумляющих факторов изображений и повышение надёжности идентификации дефектов структуры монокристаллов.
16:30-16:50		Андриевский Р.А. Проблемы информации в области физики кристаллов, наноматериалов и нанотехнологий.
16:50-17:00		перерыв
17:00-20:00		круглый стол
		Кристаллофизика в НИТУ «МИСиС». Заседание, посвящённое памяти выдающихся кристаллографов и кристаллофизиков России: М.П. Шаскольской, её учителей, коллег, учеников
		Гераськин В.В., Гармаш В.М., Дашевский М.Я., Пархоменко Ю.Н. Кристаллофизика и материаловедение в НИТУ «МИСиС».
		Смирнов Б.Б., Лебедев О.В. Выбор геометрического индикатора в процессе определения хиральности произвольного объекта.
		Бузанов О.А., Сахаров С.А., Аленков В.В., Гриценко А.Б., Фоломин П.И. Выращивание кристаллов сложных оксидов для пьезоэлектрических и сцинтилляционных применений в условиях опытно-промышленного производства в компании ОАО «Фомос-Материалс».
		Васильева Л.А., Черкасова Л.И., Бурханов А.И. Преподавание элементов кристаллофизики в курсе общей физики.
		Черкасова Л.И., Васильева Л.А., Кугаенко О.М., Петраков В.С. Изучение физических свойств материалов в творческих работах студентов.
		Никулова Г.А. Обзор Internet-ресурсов поддержки преподавания дисциплин по направлению «Физика кристаллов».
		Диденко И.С., Гореева Ж.А., Козлова Н.С. Сертификационные испытания монокристаллических материалов.
		Выступления участников конференции
		ФУРШЕТ
10 ДЕКАБРЯ, ПЯТНИЦА
		УТРЕННЯЯ СЕССИЯ
11:00-12:10		пленарное заседание
11:00-11:35		Аксенов В.Л. Нейтроны в нанодиагностике.
11:35-12:10		Квардаков В.В. Новые возможности Курчатовского источника синхротронного излучения для диагностики наноматериалов.
12:10-12:30		перерыв
12:30-14:00		заседания секций
	Секция A
		2.2. Кристаллы фотоники
12:30	A25	Верозубова Г.А., Окунев А.О., Грибенюков А.И., Трофимов А.Ю. Исследование дефектов структуры в нелинейно-оптическом материале ZnGeP2. (20 мин.)
12:50	A26	Наими Е.К., Векилов Ю.Х. Фотонные кристаллы с показателем преломления, модулируемым ультразвуком. (20 мин.)
13:10	A27	Ли Л.Е., Демьянец Л.Н. Монокристаллический ZnO:In – новый перспективный лазерный материал. (20 мин.)
13:30	A28	Ефремова П.В., Педько Б.Б., Сорокина И.И., Кузнецова Ю.В. Исследование поверхностных дефектов монокристаллов ниобата лития методом АСМ-микроскопии. (15 мин.)
13:45	A29	Кох К.А. Альтернативные методы синтеза соединений в запаянной ампуле. (15 мин.)
	Секция B
		3.2. Многослойные, острийные и квантовые структуры
12:30	B34	Веревкин Ю.К., Бредихин В.И., Петряков В.Н. Наноразмерное структурирование поверхности твёрдых тел в поле интерферирующих лазерных пучков. (20 мин.)
12:50	B35	Маняхин Ф.И. Термодинамическая модель образования точечных дефектов в светодиодах на основе широкозонных полупроводников. (15 мин.)
13:05	B36	Конюхов М.В., Средин В.Г., Сахаров М.В., Воробьев А.А., Талипов Н.Х., Суховей С.Б. Лазерная интерферометрия эпитаксиальных слоёв полупроводниковых материалов. (20 мин.)
13:25	B37	Васильевский И.С., Галлиев Г.Б., Климов Е.А., Кванин А.Л., Кульбачинский В.А., Пушкарёв С.С., Пушкин М.А., Юзеева Н.А. Исследование морфологии поверхности и электрофизических свойств эпитаксиально выращенных метаморфных гетероструктур c содержанием InAs в активном слое 75-100%. (20 мин.)
13:45	B38	Морченко А.Т. Диффузионные процессы при выращивании и отжиге эпитаксиальных феррит-гранатовых структур (ЭФГС). (15 мин.)
	Секция C
		1.3. Управление дефектной структурой кристаллов, самоорганизация в кристаллических системах, влияние дефектов структуры на физические свойства
12:30	C36	Блантер М.С., Дмитриев В.В., Рубан А.В., Байков В.И. Первопринципные расчёты атомной структуры упорядоченных твёрдых растворов внедрения кислорода и азота в ГПУ тантале, цирконии и гафнии. (15 мин.)
12:45	C37	Калтаев Х.Ш.-оглы, Сидельникова Н.С., Нижанковский С.В., Данько А.Я., Будников А.Т. Оптические и люминесцентные свойства кристаллов AL2O3-δ:N. (15 мин.)
13:00	C38	Хасанов Р.А., Низамутдинов Н.М., Хасанов Н.М., Винокуров В.М., Кыжлай И.Н. Особенности кристаллизации и образование парамагнитных дефектов монокристалла барита. (20 мин.)
13:20	C39	Гальчинецкий Л.П., Лалаянц А.И., Онищенко Г.М., Галкин С.Н., Камаледдин Р.Ф. Взаимодействие водорода с дефектами кристаллической решетки в кристаллах ZnSe(X). (15 мин.)
13:35	C40	Мададзаде А.И., Алекперова Э.Э., Исмаилов Д.И., Гаджиев Э.Ш., Алакбарова Э.А. Электронографическое исследование сверхструктурных фаз тонких пленок CuInS2, CuGaS2(Te2), легированныx примесями Ge. (15 мин.)
	Секция D
		5.1. Новые методы диагностики кристаллических материалов и систем
12:30	D33	Максимов С.К., Максимов К.С. Растровая электронная микроскопия и контроль в нанообласти. (20 мин.)
12:50	D34	Рощупкин Д.В., Иржак Д.В., Фахртдинов Р.Р., Редькин Б.С. Развитие рентгеновских методов диагностики сегнетоэлектрических доменных структур в кристаллах LiNbO3 и LiTaO3. (15 мин.)
13:05	D35	Ткаль В.А., Петров М.Н., Воронин Н.А. Количественная оценка эффективности цифровой обработки изображений дефектов структуры монокристаллов. (15 мин.)
13:20	D36	Кязумов М.Г. Электронно-дифракционные методы вращения вокруг одной из осей решётки, перпендикулярной первичному электронному лучу. (10 мин.)
13:30	D37	Маняхин Ф.И. Интегрально-дифференциальный метод исследования глубоких энергетических уровней. (15 мин.)
14:00		ЗАКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ